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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,新增10颗采用eSMP?系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBS? Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节省空间,可替换SOD123W封装的肖特基整流器,反向电压从45V到150V,其中业内首颗采用MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。目前,2A电流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封装。今天发布的这批器件在较小的MicroSMP封装内也可以输出高正向电流,从而提高了功率密度。整流器的尺寸为2.5mm x 1.3mm,高度0.65mm,比SOD123W薄35%,同时占板空间少45%。为实现良好的散热性能,MicroSMP封装采用了不对称的引线框架设计。1A整流器的正向压降为0.36V,2A器件的正向压降为0.40V,够减少功率损耗,提高效率。针对低压高频逆变器,DC/DC转换器,续流以及极性保护等工业和商业应用。这些器件还有通过AEC-Q101认证的版本,可用于汽车应用。新整流器的最高工作结温达+175℃,潮湿敏感度等级达到per J-STD-020的1级,LF最高峰值为+260℃。器件非常适合自动贴装,符合RoHS,无卤素。
器件规格表:
产品编号 | IF(AV) (A) | VRRM (V) | IFSM (A) | VF at IF and TJ | 最高TJ (°C) | ||
VF (V) | IF (A) | TA (°C) | |||||
V1P6 | 1 | 60 | 25 | 0.45 | 1 | +125 | +150 |
V2P6 | 2 | 60 | 30 | 0.51 | 2 | +125 | +150 |
V1PL45 | 1 | 45 | 25 | 0.36 | 1 | +125 | +150 |
V2PL45 | 2 | 45 | 30 | 0.40 | 2 | +125 | +150 |
V1PM10 | 1 | 100 | 25 | 0.58 | 1 | +125 | +175 |
V2PM10 | 2 | 100 | 30 | 0.62 | 2 | +125 | +175 |
V1PM12 | 1 | 120 | 25 | 0.61 | 1 | +125 | +175 |
V2PM12 | 2 | 120 | 30 | 0.65 | 2 | +125 | +175 |
V1PM15 | 1 | 150 | 25 | 0.64 | 1 | +125 | +175 |
V2PM15 | 2 | 150 | 30 | 0.68 | 2 | +125 | +175 |
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